根据国务院金沙娱场城app7979关于印发实施《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定的通知（国发〔2016〕16号）和金沙娱场城app7979《金沙娱场城app7979关于职务发明知识产权归属和利益分享制度试点办法》（西南石大科〔2017〕2号）等有关文件要求，现将“获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法及其应用”等五项专利拟转让进行公示，任何单位或个人若有异议，应当在公示时间内以真实身份书面向我单位提出。
专利一
专利类型：发明专利
专利名称：获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法及其应用
专 利 号：CN201910283015.6
申请日期：2019-04-10
授权日期：2022-7-19
专利权人：金沙娱场城app7979
发 明 人：黄跃龙；田柳文；章文峰；于华
成果简介：本发明属于光电器件技术领域，一种获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法及其应用。钙钛矿薄膜的后期处理工艺采用混合溶剂蒸汽辅助的梯度退火工艺，具体过程为：首先，进行稍低温度的热退火；然后，进行混合溶剂蒸汽辅助热退火；最后，进行稍高温度的热退火。进而制备得到大晶粒高质量钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备工艺简单，成本低，重复性好，实用性强，适合大面积薄膜以及大规模批量化处理。
专利二
专利类型：发明专利
专利名称：介孔电子传输层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
专 利 号：CN201911109778.5
申请日期：2019-11-14
授权日期：2022-4-1
专利权人：金沙娱场城app7979
发 明 人：彭长涛; 王其云; 黄跃龙
成果简介：一种介孔电子传输层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述介孔电子传输层的制备方法包括以下步骤：配置涂膜前驱体溶液A，所述前驱体溶液A含有电子传输材料和造孔剂，所述电子传输材料为二氧化锡；采用溶液涂膜工艺将所述前驱体溶液A涂在导电基板上；对涂膜后的导电基板进行退火处理，所述退火处理的温度为140～220℃，时间大于等于15min；对退火后的导电基板进行紫外线照射处理，处理的时间大于等于30min。所述钙钛矿太阳能电池包括上述制备方法制备的介孔电子传输层。本发明的介孔电子传输层的制备方法，能够大幅减少介孔薄膜制备的周期和成本，提高介孔电子传输层的质量，提高将其应用于钙钛矿太阳能电池中的转化效率。
专利三
专利类型：发明专利
专利名称：一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法
专 利 号：CN201910231639.3
申请日期：2019-3-26
授权日期：2019-7-26
专利权人：金沙娱场城app7979
发 明 人：张海川; 陈涛; 俞健; 黄跃龙
成果简介：本发明涉及一种背接触式钙钛矿太阳电池及其制备方法，属于新型钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种背接触式钙钛矿太阳电池，包括从上到下依次设置的基底、减反射层、三维钙钛矿层、二维钙钛矿层，所述二维钙钛矿的下表面设有若干个叉指状交错分布的空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层下表面依次设有空穴缓冲层和透明电极层，所述电子传输层的下表面设有中间透明电极层，所述透明电极层、中间透明电极层的下表面上均设有电极。本发明具有小的寄生损失，能够充分吸收太阳光，增加电池对短波光的利用，从而增大短路电流，进而有效提高太阳电池的光电转换效率。
专利四
专利类型：发明专利
专利名称：一种高效钙钛矿太阳能电池及制备方法
专 利 号：CN202010548568.2
申请日期：2020-06-16
授权日期：2022-05-27
专利权人：金沙娱场城app7979
发 明 人：马柱; 黄德军; 肖政; 晏广元; 李小琴; 黄跃龙
成果简介：本发明公开一种高效钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。所述高效钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：在透明导电基板上旋涂制备电子传输层；在电子传输层上旋涂碘化铅胶体，并进行退火结晶处理，形成碘化铅薄膜；在碘化铅薄膜上旋涂卤化物阳离子，并进行退火结晶处理，生成钙钛矿吸光层和碘化铅钝化结构；在钙钛矿吸光层上喷涂带有包覆材料的碘化铅胶体，形成碘化铅晶体钝化层；在碘化铅晶体钝化层上制备空穴传输层；在空穴传输层上制备银电极。本发明提供的一种高效钙钛矿太阳能电池及制备方法中，分别在电子传输层和钙钛矿吸光层上旋涂和喷涂碘化铅胶体，实现可控的缺陷钝化，达到双钝化效果，提高器件的效率和长期稳定性。
专利五
专利类型：发明专利
专利名称：一种高质量钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳电池的制备方法
专 利 号：CN202010615405.1
申请日期：2020-6-30
授权日期：2022-6-17
专利权人：金沙娱场城app7979
发 明 人：章文峰; 林埔安; 黄跃龙
成果简介：本发明公开了一种高质量钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳电池的制备方法，属于光电器件制备技术领域。该方法包括在清洗后的基片上旋涂SnO2旋涂液；将PbI2粉末溶解于DMF和DMSO的混合溶液配置成PbI2溶液，混合溶液由DMF和DMSO按照1‑19 : 1混合获得；搅拌至溶解；将PbI2溶液过滤后旋涂到SnO2电子传输层上，将基片放置于70℃下加热0‑10min，得PbI2层；迅速将纯水置于PbI2上，静置，将水旋转去除；将FA/MA二元溶液旋涂到PbI2层上得钙钛矿层；将空穴前驱体溶液旋涂在钙钛矿层上，氧化；将具有空穴传输层的样品再进行真空蒸镀银电极，获得钙钛矿太阳电池。本发明的制备方法可取得高于20％的器件效率，适合于低成本、大规模钙钛矿太阳电池器件的制备，是一种具有应用前景的钙钛矿薄膜后期处理工艺。
转化方式：转让
定价方式：协议定价
转让价格：50万元
受 让 方：湖州市鹑火光电有限公司
公 示 期：2023年2月21日至2023年3月7日
联 系 人：包老师
联系电话：028-83032096
